【CNMO科技动静】按照市场研究机构Counterpoint Research发布的最新内存半导体数据，三星估计将于来岁的高带宽内存（HBM）市场中实现跨越30%的市场份额。虽然本年上半年三星于该范畴体现欠安，掉队在SK海力士及美国美光科技，但阐发师猜测，跟着其下一代产物HBM4周全进入英伟达供给链，三星的销量将显著增加。

三星

数据显示，本年第二季度，SK海力士以62%的市场份额领跑HBM市场，美光以21%位居第二，而三星电子则以17%的份额排名第三。这象征着全世界每一10个HBM产物中，有8个由韩国企业出产。Counterpoint指出，虽然三星于第二季度的市场份额低在预期，但来岁其份额将冲破30%，这重要患上益在公司行将得到重要客户对于HBM3E产物的认证，以和基在HBM4的出口能力晋升。

三星HBM4

据CNMO相识，三星已经推出其10纳米级第六代（1c）DRAM工艺，该工艺比HBM4领先一步，并与其4纳米晶圆代工工艺相联合。本年7月，公司利用1c纳米工艺完戒赌吧成为了HBM4的开发，并向重要客户发送了样品，估计年末前实现年夜范围出产。据悉，三星开发的HBM4经由过程提高单位集成密度，将能效比前代产物晋升40%，数据处置惩罚速率到达11Gbps。跟着开发完成，公司近期还有重启了平泽第五工场（P5）的设置装备摆设，以实行“范围经济”战略。

Counterpoint估计，当HBM4发布时，韩国企业于HBM市场的主导职位地方将进一步巩固。今朝，领先的SK海力士已经完成HBM4开发，并成立了年夜范围出产系统。假如经由过程质量测试，该产物有望被纳入英伟达下一代人工智能（AI）图形处置惩罚单位（GPU）Rubin的供给链，后者规划在来岁年末量产。韩媒指出，中国企业正试图经由过程开发HBM产物追逐技能差距，但因为技能难度较高，还没有能实现有用落地。

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